图1-传统有桥 boost PFC电路为了解决有桥PFC的导通损耗大的问题，演变出了各种无桥PFC结构，应用比较广泛的是双Boost无桥PFC。如图2所示，减小了整流桥造成的导通损耗，其主开关的S极接母线地，驱动相对较容易。但因为增加了交流电压的续流管DN1和DN2，所以其相应的共模干扰特性会比较好，但是这无疑会增加电流路径上的器件，从而降低效率和增加复杂性。
图2-双Boost无桥PFC图腾柱PFC是器件更少的，如图3所示，在电流路径上只有2个半功率导体器件，其损耗必然会更小，理论上，其效率必然会更高，实际取决于功率半导体器件的发展。
图3-图腾柱PFC在图4中，假设S1和S2都是普通的Si
mosfet的情况下，让图腾柱PFC系统运行在CCM硬开关模式下，在AC正半周期，电感电流一直为正，S1和S2以互补模式运行，为了避免直通，二者之间留有死区。当续流管S1关断、开关管S2开通之前，电感电流通路是续流管S1的体二极管，当结束死区，开关管S2开通时，续流管S1两端的电压需要立即由接近0V变到Vo，从而体二极管由导通状态变到阻断状态。而传统的硅mosfet的体二极管反向恢复特性是非常差的，所以在这个过程中必然会导致比较大的反向恢复损耗，同时S1会产生较大的关断振荡电压。当AC电压为负时的情况类似，S2会产生较大的震荡电压及反向恢复损耗。为了解决CCM硬开关模式下震荡电压和反向恢复损耗问题，传统的图腾柱PFC多运行于CRM模式，因此限制了功率应用范围。
图4-AC正半周过程涉及的反向恢复随着宽禁带器件的发展，如氮化镓GaN、SiC碳化硅的出现，对于同样的系统，若用GaN或者SiC替换图腾柱PFC中原有的mosfet组成的S1和S2快管，由于宽禁带器件本身开关损耗较小，且体二极管具有接近于0的反向恢复电荷Qrr，则可以使他们很好的运行于CCM硬开关模式下，且处于较高的频率，使得其应用范围得到了较大的发展，如安森美的模拟控制器NCP1680/1、SiC
MOS以及对应的驱动器。
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传统有桥 boost PFC | 双Boost无桥PFC | 图腾柱PFC |
| 优点 | 控制上相对简单 | 驱动相对容易、共模干扰特性会比较好、效率相对高 | 效率更高、工作在更高频 |
| 缺点 | 效率相对较低，小功率应用 | 控制相对复杂 | 控制复杂 |
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