今年6月起，英飞凌科技股份公司陆续推出全新CoolGaN™ 产品技术：
其中一项技术包含 新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaN™ 半导体器件系列，这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程；
另一项技术为 CoolGaN™ 双向开关（BDS），CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。
英飞凌本次新推出的GaN器件具有快速的导通/关断速度、最小的开关损耗和多种封装选择，能够简单快速地将产品推向市场。这些器件不仅符合广泛标准，还超越行业标准。GaN技术大大提高了系统的整体性能，并最大限度地降低了系统成本，提高了易用性。
英飞凌将据此扩大CoolGaN™ 的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。
现已推出CoolGaN™ G3系列晶体管中压产品60V-200V 和 CoolGaN™ BDS 40 V工程样品，工程师可抢先免费体验试用。
CoolGaN™ G3系列晶体管
G3中压器件是采用高性能 8 英寸晶圆工艺制造的全新系列。
G3中压器件覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaN™ 晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。
G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。
特点
40V - 700V GaN晶体管 增强型（e-mode） 4 A 至 150 A 选择范围 集成功率级 广泛的封装选择 超快开关速度 无反向恢复电荷 可反向传导 低栅极和输出电荷 卓越的 FOMs
益处
提高系统效率 提高功率密度 减轻系统重量
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CoolGaN™ 双向开关（BDS）
是一款基于英飞凌肖特基栅氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。
它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。
首款40V CoolGaN™ BDS产品的 RDS(on)值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品（650V 和 850 V）。
相比背对背硅FET，使用40V GaN BDS的优点包括节省50% - 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。
适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。
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