标签: MTB1D7N03E3VB

型号：MTB1D7N03E3丝印：VBM1302品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：180A-RDS(ON)：2mΩ@10V，2.8mΩ@4.5V-门源电压范围：20V-门源阈值电压：1.7V-封装类型：TO220应用简介：MTB1D7N03E3（丝印：VBM1302）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：MTB1D7N03E3是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和大电流承载能力。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为180A，RDS(ON)为2mΩ@10V，2.8mΩ@4.5V，门源电压范围为20V，门源阈值电压为1.7V，封装类型为TO220。应用领域：MTB1D7N03E3（VBM1302）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的高电压和大电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：MTB1D7N03E3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电机驱动：它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3.汽车电子系统：MTB1D7N03E3适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电压和高功率的要求。综上所述，MTB1D7N03E3（VBM1302）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和大电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。