如何透过EOS的故障现象找到芯片故障原因?
硬十 2024-09-24
早年间,2A、3A的Buck芯片失效一直困扰着我,从器件失效形貌上看是EOS失效,但是一直找不到造成EOS失效的根因,最终在22年技术攻关中,终于找到了失效根因对分析履历进行回溯梳理,导致该问题成为技术难题的原因是导致Buck芯片EOS的原因有多个,当找到其中一个原因后将所有的EOS都归结到这个原因上,但发现导入对策后Buck芯片EOS的问题并没有收敛,因此又重启问题进行技术攻关,但还好最终找到了失效根因。 下文将对FCCM模式的Buck芯片EOS失效可能的一个失效机理进行分析,给可能遇到这个问题但百思不得其解的兄弟姐妹们一个参考。
目前主流的2A、3A的Buck芯片有TI/TPS562208、TI/TPS563208、杰华特/JW5061、杰华特/JW5361、Richtek/RT6253B等。
这些芯片在使用中都遇到过相同的问题:Vin输入侧无明显异常过压,但是芯片发生了EOS失效。下图为TI/TPS562203和Richtek/RT6253B的失效形貌,在上下管位置可见明显的烧毁点。

在板测试各正常应用工况下Vin、SW管脚电压应力,未发现应力超标的情况,难道导致器件失效的原因是“random defeat”?但是在制程监控中,可以明确观察到这个类型的器件故障率远高于其他的DC-DC芯片,故对这类芯片“EOS”失效的根因进行技术攻关。经过技术攻关,确认导致Buck芯片EOS失效的其中一个根因:设备关机时,芯片由Buck变为反向Boost模式,使Vin/SW管脚电压超标导致芯片EOS失效。失效机理如下:
  1. Vin不给电情况下,后级的Vo经过上管的体二极管将Vin电压升高,能量从右向左反向使芯片从Buck模式进入到反向Boost模式;

  2. 当Vin给点的情况下,负载跳变导致的过冲使能量反灌到Vin,使芯片从Buck模式进入到反向Boost模式;

  3. Boost模式下,相同的Vo电压,占空比越小Vin会升得越高

  4. 当Vin和SW管脚电压超过规格值时,会造成芯片发生“EOS”失效。

注:任何FCCM的Buck芯片只有满足1、2中条件都会变成Boost模式工作,这是拓扑决定的,而这类Buck芯片的轻载工作模式需要使FCCM。


针对上文所描述的:任何FCCM的Buck芯片都有类似的这种问题。

MPS家这颗MPQ2143 电源芯片主要用于DCDC BUCK电路,输入可接受2.5V~5.5V , 输出电压可调,输出最大可支持3A。

由于输入电压最大只支持到5.5V,在应用输入电压为5V的场景下,考虑到裕量,在输入前加入了一个二极管进行降压。

这个串入二极管就要注意了:不能出现EN先于Vin掉电的情况,否则就容易出现反向Boost,将MPQ2143的输入电压抬高出现EOS的情况:下管开关MOS损坏导致SW到GND损坏短路等

在规格书中也有提到这个反向BOOST的测试情况:

MPQ2143存在输入反向Boost的条件为:EN比输入先掉电,那输出电压放电是通过下管 MOS进行的,下管MOS在此阶段是导通关断时间间隔的,所以就会存在在下管关断的时候,输出电压通过上管流通到输入端,这就会形成一个反向Boost操作 ,将输入电压抬高比较多。所以要注意时序:EN不能比VIN先掉电


总结:失效分析中“EOS”只是现象不是根因,但原厂和第三方的失效分析通常到现象就已视为“案件结束”,如何透过EOS的故障现象找到导致故障的根因需要分析人员具有较高的综合素质。



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