MOS管的导通电阻
0 2024-01-31

MOS管的导通电阻和什么相关?

关于这个问题,相信大多数同好首先想到的就是Vgs驱动电压。

但是MOS管的导通电阻不仅仅和Vgs驱动电压有关,Rdson还与Id电流相关。

首先打开数据手册,以BSS138为例,可以看到在手册中有关于Rdson的参数描写,在Vgs驱动电压为10V的时候,导通电阻MAX为3.5Ω@10V手册中的@的意思是at)然后驱动电压要是小一点(4.5V),导通电阻MAX为3.5Ω@4.5V。(测试Id电流均为0.22A

然后再往后看,可以看到一个关于Rdson的曲线红色框框内的参数是Vgs驱动电压纵轴参数是导通电阻Rdson,横轴参数是Id电流,也可以看到在Vgs驱动电压不变的情况下,随着Id电流的增加,导通电阻Rdson也是在增大的,由其是在Vgs电压较低的时候,Rdson随着Id电流的变化更为陡峭。换而言之,如果Id电流不变的情况下,如果Vgs驱动电压增大,那么MOS管的Rdson也是更小的。

MOS管的Rdson越小,那么MOS的发热量也就越小,这个也是毋庸置疑的,所以说在MOS管控制大电流的场合,一定要想方设法的增大Vgs驱动电压。

那么下面的电路是不是就看懂了?就是为了让Vgs驱动电压更大,且推挽驱动可以让驱动电流更大,让MOS管导通和关断更快。

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