深入比较NAND Flash和NOR Flash的异同:探究存储器技术的发展趋势
0 2023-12-06
NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
NOR FlashIntel于1988年首先开发出来的存储技术,改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NAND Flash东芝公司于1989年发布的存储结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

图:NAND=NOT AND(与非门), NOR=NOT OR(或非门)


相同点

两者都是非易失性存储器,可以在断电后保持存储的数据。
两者都可以进行擦写和再编程。

两者在写之前都要先擦除,擦除是将所有位变为1,而写操作只能使1变成0


不同点

NOR Flash和NAND Flash各有其优势和应用场景,设计者可以根据产品需求来进行选择,两者的主要不同点如下:


  • 接口

NOR Flash带有通用的SRAM接口,可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上,对CPU的接口要求低。

NAND Flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据。

  • 容量和成本
NOR Flash的容量较小,价格较高。NAND Flash的生产过程更简单,容量更大,价格更低。
  • 可靠性
NAND Flash中的坏块是随机分布的,需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。Nor Flash上基本不存在坏块问题
  • 寿命
NAND Flash中每个块的最大擦写次数是十万次。Nor Flash的擦写次数是一百万次。
  • 读写擦除性能

NOR Flash的读速度比NAND Flash快。

NAND Flash的写入和擦除速度比NOR Flash快很多。总的来说,NOR 的优势在于随机读取与擦写寿命,因此适合用来存储代码和关键数据;NAND 的优势在于单位比特成本,花同样的钱可以获得更大的容量。



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