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2V7002KT1G参数：N沟道,60V,0.3A,RDS(ON)2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),SOT23应用简介：2V7002KT1G是一款适用于低功率应用的N沟道MOSFET。其适中的电流和低阈值电压使其在电池供电的低功率应用中表现良好。常用于电子开关、模拟开关等。优势：静态电流消耗低：适用于电池供电的低功率应用。适用于电子开关：用作电子开关或模拟开关控制。适用模块：2V7002KT1G适用于需要低功率控制的模块，如电池供电的传感器模块、开关控制等。