标签: SC706

型号：FDG6316P-VB丝印：VBK4223N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-1.5A-导通电阻（RDS(ON)）：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V,12Vgs-阈值电压（Vth）：-0.6~-2V-封装：SC70-6应用简介：FDG6316P-VB是一款双P沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中。它在一些特定领域的模块中具有广泛的应用。**应用领域和模块说明：**1.**信号开关模块**：  -由于其双P沟道特性，FDG6316P-VB可用于信号开关模块，控制信号线的连接和断开。  -在低功耗电子设备中，如智能手机、平板电脑等，用于开关各种信号线，以实现省电和自动化控制。2.**电池管理模块**：  -该MOSFET适用于电池管理模块中的电池充电和放电控制。  -在便携式电子设备、笔记本电脑、电动工具等中，用于实现安全的电池管理和充电。3.**低功耗电路**：  -FDG6316P-VB的低阈值电压和双P沟道设计使其在低功耗电路中非常有用。  -在需要高度集成的低功耗传感器模块和微控制器电路中使用，以实现更长的电池寿命。4.**信号放大模块**：  -在某些音频和信号放大模块中，FDG6316P-VB可用于控制信号通路，实现信号的放大和处理。  -在音响设备、音频放大器等领域有应用潜力。总之，FDG6316P-VB是一款双P沟道MOSFET，适用于信号开关、电池管理、低功耗电路和信号放大等领域的模块。其双P沟道设计和低功耗特性使其成为一种有效的电子元件，可用于提高电路的性能和效率。

型号:NTJD4001NT1G-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:2A-静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V-门源电压(Vgs):±8V-阈值电压(Vth):0.8V-封装类型:SC70-6应用简介:NTJD4001NT1G-VB是一款N沟道场效应晶体管，具有一些特定的电性能，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域：1.**低功耗电子设备**:由于其低阈值电压和低导通电阻，该晶体管适用于低功耗电子设备，如便携式电子设备和传感器模块。2.**电池管理**:在电池管理模块中，NTJD4001NT1G-VB可用于充电和放电控制，以确保电池的安全和性能。3.**电源开关**:它可以用作电源开关，控制电子设备的供电，提供高效的电源管理。4.**信号放大**:在信号放大电路中，该晶体管可用于放大小信号，例如传感器输出或低电压信号。5.**电流控制**:NTJD4001NT1G-VB可以用作电流控制器，控制电路中的电流流动，例如LED驱动器和电机控制器。6.**模拟开关**:由于其快速开关特性，它适用于模拟开关电路，用于信号选择和切换。7.**便携式设备**:由于其小型SC70-6封装和低功耗特性，它适用于便携式电子设备的电源管理、信号处理和控制。总之，NTJD4001NT1G-VB适用于多种应用，包括低功耗电子设备、电池管理、电源开关、信号放大、电流控制、模拟开关和便携式设备等领域。其N沟道特性、低阈值电压和小型封装使其成为广泛应用的元器件，特别适用于低功耗和便携式应用。

型号：AO7800-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi参数：-类型：2个N沟道-最大耐压：20V-最大电流：2A-静态开启电阻(RDS(ON))：150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V-门源极电压(Vgs)：8V(±V)-阈值电压(Vth)：0.8V-封装类型：SC70-6应用简介：AO7800-VB是一种双N沟道MOSFET器件，适用于需要低电压、低电流和小型封装的电子应用。以下是一些可能的应用领域：1.移动设备：AO7800-VB可以用于手机、平板电脑和便携式媒体设备等移动设备中的电源管理电路，以提高电池寿命和设备性能。2.电池管理：它还可用于电池保护和电池管理系统中，控制充电和放电过程，确保电池的安全和性能。3.低功耗电子：由于其低静态阈值电压和适中的电流承受能力，适用于需要低功耗操作的电子设备，如传感器节点、便携式医疗设备和无线通信模块。4.信号开关：在一些信号开关电路中，AO7800-VB可用于实现信号的精确控制和切换。5.LED驱动：可用于LED照明应用中，帮助实现高效的LED灯控制和驱动。AO7800-VB的特性使其适用于多种低功率和便携式电子应用，尤其是在有限的空间内需要高性能的情况下。然而，在选择和使用该器件时，仍然需要详细了解其数据手册和性能参数，以确保其满足特定应用的要求。

型号：Si1922EDH-T1-GE3-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：2A-静态导通电阻（RDS(ON)）：150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V-门源极电压（Vgs）：-8V至8V-阈值电压（Vth）：0.8V-封装类型：SC70-6**应用简介：**Si1922EDH-T1-GE3-VB是一款双N沟道MOSFET，具有广泛的应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块：1.**电源开关：**由于其低导通电阻和高电流承载能力，Si1922EDH-T1-GE3-VB适用于电源开关模块，如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛用于移动设备、电子设备和通信系统中。2.**电池保护：**在便携式电子设备中，该MOSFET可以用于电池保护电路，确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于智能手机、平板电脑和笔记本电脑非常重要。3.**信号开关：**由于其低阈值电压和快速开关特性，Si1922EDH-T1-GE3-VB可用于模拟和数字信号开关。这在通信设备、音频放大器和传感器接口中非常有用。4.**照明控制：**在LED照明控制模块中，该MOSFET可以用于调光和开关LED灯。这对于节能照明系统和照明调光器非常关键。5.**驱动器模块：**该产品也可以用于电机驱动器模块，例如小型直流电机控制和步进电机驱动。这在家用电器和机器人技术中起到关键作用。总之，Si1922EDH-T1-GE3-VB是一款功能强大的N沟道MOSFET，适用于多种领域的模块设计，包括电源开关、电池保护、信号开关、照明控制和电机驱动器等领域。其低导通电阻和低阈值电压使其成为许多电子设备中的理想选择，能够提供高效率和可靠性。

Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V(P沟道),160mΩ@2.5V(N沟道),280mΩ@2.5V(P沟道)-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：±0.6~2Vth(V)-封装类型：SC70-6应用简介：Si1553CDL-T1-GE3是一款集成有N和P沟道MOSFET的器件，适用于电源管理和功率放大器等多种应用。它具有正负额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。Si1553CDL-T1-GE3采用SC70-6封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等多个领域。由于其正负额定电压和额定电流特性，Si1553CDL-T1-GE3特别适用于需要同时控制正负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和电流传输。总之，Si1553CDL-T1-GE3是一款集成有N和P沟道MOSFET的器件，适用于电源管理和功率放大器等多种应用模块。特别适用于需要同时控制正负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。

FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：±0.6~2Vth(V)-封装类型：SC70-6应用简介：FDG6321C是一款N+P沟道MOSFET，同时包含了N沟道和P沟道的特性，在各种电源管理和功率放大器应用中具有广泛的应用范围。该器件具有较高的额定电压和额定电流，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。FDG6321C采用SC70-6封装，封装小巧，适合在空间有限的应用场合中使用。该器件广泛用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器以及需要同时使用N沟道和P沟道MOSFET的场合。在这些领域中，FDG6321C能够提供可靠的功率开关控制和多通道电流传输，实现高效能的电流开关操作。总之，FDG6321C是一款N+P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于需要同时控制正负电压的场合，例如电源开关、电机驱动器等领域。

SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2Vth(V)-封装类型：SC70-6应用简介：SI1967DH-T1-GE3是一款双P沟道MOSFET，具有负的额定电压和额定电流，适合在各种电源管理和功率放大器应用中使用。它的导通电阻适中且具有较高的性能特性，能够提供可靠而高效的电流开关功能。该器件通过控制12Vgs(±V)的门源电压，实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关的状态转换。它的导通电阻较低能够降低功率损耗，提高系统效率。SI1967DH-T1-GE3采用SC70-6封装，封装小巧，适合在空间有限的应用场景中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其双P沟道的特性，它可以用于控制和开关负电压的电路，非常适用于负电源应用的需要。在这些领域中，SI1967DH-T1-GE3能够提供可靠的功率开关控制，实现高效能的电流传输和开关操作。总之，SI1967DH-T1-GE3是一款双P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别是在电源开关、电机驱动器等领域，以及需要控制和开关负电压的电路场景中。

FDG1024NZ(VBK3215N)参数说明：2个N沟道，20V，2A，导通电阻150mΩ@4.5V，170mΩ@2.5V，门源电压范围8Vgs(±V)，阈值电压0.8V，封装：SC70-6。应用简介：FDG1024NZ适用于双N沟道MOSFET的应用，常见于逻辑级信号开关和电流控制等领域。其中双沟道设计适合控制多路信号。适用领域与模块：适用于逻辑级信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块。

FDG6332C(VBK5213N)参数说明：N+P沟道，±20V，2.5/-1.5A，导通电阻130/230mΩ@4.5V，160/280mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围±0.6~2V，封装：SC70-6。应用简介：FDG6332C适用于双极性驱动的应用，如电机控制和H桥驱动器等。同时具备N沟道和P沟道，适合电流流向不同的场景。优势与适用领域：具有双极性驱动能力，适用于电机控制、H桥驱动器和双极性信号开关等领域模块。

NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是一款带有两个N沟道的MOSFET，适用于多通道低电压应用的开关控制。其多通道设计使其在控制多个信号的应用中非常有用。常用于手持设备、多通道开关控制等。优势：多通道设计：适用于控制多个信号的应用。适用于低电压：适用于低电压操作，如移动设备。适用模块：NTJD4401NT1G适用于手持设备和需要多通道控制的模块，如多通道开关控制、移动设备的控制模块等。