标签: IPD640N06LG

IPD640N06LG(VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。应用简介：IPD640N06LG适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。其高电流承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。适用领域与模块：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。高电流承载能力满足大电流需求。