标签: N3PF06

N3PF06(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：N3PF06适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。其低导通电阻和高耐压特性有助于降低功率损耗和提高效率。适用领域与模块：适用于电源开关、逆变器和功率放大器等领域模块，特别适合要求低功率损耗的场景。