标签: NT2955G

NT2955G(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：NT2955G适用于功率开关和逆变器等高功率应用的P沟道MOSFET。其能够处理较大的电流和电压，适用于高功率需求的场景。优势与适用领域：具有较大的电流和电压承载能力，适用于高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。