标签: SI2300DST1GE3

SI2300DS-T1-GE3参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：SI2300DS-T1-GE3是一款适用于中电流、低电压的N沟道MOSFET。其低阈值电压使其适合低电压逻辑驱动。常用于移动设备、低电压应用等。优势：适用于低电压逻辑驱动：低阈值电压特性适合低电压逻辑控制。适用于移动设备：适用于移动设备、低电压应用等领域。适用模块：SI2300DS-T1-GE3适用于移动设备和低电压应用的控制模块，如手机、平板电脑等。