标签: SI2301BDST1GE3

SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23应用简介：SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。其低导通电阻能够有效减少导通损耗，适用于高效率的电路设计。常用于电源管理、DC-DC转换等领域，如适配器、电池充电器等。优势:低导通电阻：具有低的导通电阻，降低功率损耗和热量产生。可靠性：VBsemi是知名半导体品牌，产品质量可靠。适用封装：小型SOT23封装适合空间有限的设计。适用模块：SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)适用于需要高效率电能转换的模块，如适配器、电池充电器等。其低导通电阻和小封装适合在有限空间内实现高效能转换。