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SI2301DS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23应用简介：SI2301DS-T1-GE3(VB2290)是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。优势：低导通电阻：减少功耗，提高效率。可靠性：VBsemi作为知名半导体品牌，产品经过严格的质量控制，具有高的可靠性。适用封装：SOT23封装适合空间有限的设计。适用模块：SI2301DS-T1-GE3(VB2290)适用于需要电流控制的模块，如电源开关模块、电荷控制模块等。