标签: SI2302DST1GE3

SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：SI2302DS-T1-GE3是一款中低电压N沟道MOSFET，适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。