tag 标签: SI2305ADST1GE3

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    时间: 2023-12-26 17:26
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    上传者: VBsemi
    SI2305ADS-T1-GE3(VB2290)参数说明:P沟道,-20V,-4A,导通电阻57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,门源电压范围12V(±V),阈值电压-0.81V,封装:SOT23。应用简介:SI2305ADS-T1-GE3是一款中功率P沟道MOSFET,适用于功率开关、逆变器和电源管理等应用。其能够处理适中的功率需求。优势与适用领域:具有适中的功率承载能力,适用于中功率应用场景,如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。