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标签: SI2305CDST1GE3
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【SI2305CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
所需E币: 0
时间: 2023-12-26 17:27
大小: 289.99KB
上传者:
VBsemi
SI2305CDS-T1-GE3(VB2290)参数说明:P沟道,-20V,-4A,导通电阻57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压-0.81V,封装:SOT23。应用简介:SI2305CDS-T1-GE3适用于低功率开关和电流控制等领域。其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。适用领域与模块:适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块,特别适合紧凑型应用的场景。
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