标签: Si2342DST1GE3

Si2342DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：Si2342DS-T1-GE3是一款用于中低电压应用的N沟道MOSFET，适用于电源开关、LED驱动和电池管理等领域模块。