标签: Si2399DST1GE3

Si2399DS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V);SOT23应用简介：Si2399DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。由于其低导通电阻（RDS(ON)），能有效降低导通损耗，在需要高效能转换的电路中表现出色。常用于电源管理、DC-DC转换等电路中，如适配器、电池充电器等。优势：Si2399DS-T1-GE3的主要优势包括：低导通电阻：具有低的导通电阻，减少了功率损耗和热量产生。可靠性：VBsemi是知名半导体品牌，产品经过严格的质量控制，具有高的可靠性。封装：小型SOT23封装适合空间有限的设计。适用模块：Si2399DS-T1-GE3可用于手机充电模块中的DC-DC转换器电路。在手机充电时，需要将输入电压（通常是5V或9V）转换为适合充电电池的电压。MOSFET可以在这些转换器中用作开关，控制电流流向，实现高效的电能转换。该型号的低导通电阻有助于减少转换损耗，提高充电效率，同时SOT23封装适合手机模块的小型设计要求。