标签: SI4435DYT1E3

SI4435DY-T1-E3(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：-1.37V；封装：SOP8应用简介：SI4435DY-T1-E3(VBA2317)是一款P沟道MOSFET，适用于中功率应用的开关控制。具有低导通电阻，有助于降低功耗和热量产生。常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。优势：低导通电阻：有助于降低功耗，提高效率。适用封装：SOP8封装适合需要中等功率控制的设计。适用模块：SI4435DY-T1-E3(VBA2317)适用于中功率开关控制模块，如电源管理模块、电机驱动模块等。