标签: SI4559EYT1E3

SI4559EY-T1-E3(VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，正负阈值电压分别为±1.9V，封装：SOP8。应用简介：SI4559EY-T1-E3是一款双沟道MOSFET，适用于高电压和高电流应用，如电源开关、电机驱动、逆变器等领域模块。