标签: UT3N06GAE3R

UT3N06G-AE3-R(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：UT3N06G-AE3-R适用于功率开关和电机驱动等应用的N沟道MOSFET。其中等功率特性使其在多种中低功率应用中表现良好。适用领域与模块：适用于电源开关、电机驱动和LED驱动等领域模块，特别适合中等功率要求的场景。