标签: FDC5661N

FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：SOT23-6应用简介：FDC5661N是一款N沟道MOSFET，具有较高的额定电压和额定电流，适合在各种电源管理和功率放大器应用中使用。它的低导通电阻和高性能特性使其在高负载和高频率应用中表现出色，能够提供可靠而高效的电流开关功能。该器件具有1~3Vth的阈值电压范围，可以通过控制20Vgs(±V)的门源电压，实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关的状态转换。其低导通电阻能够降低功率损耗，提高系统效率。FDC5661N采用SOT23-6封装，封装小巧，适合在空间有限的应用场景中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器、LED照明电路等领域。通过其低导通电阻和高性能特性，可以提供高效、可靠的功率开关控制。其小巧的封装使其尤其适合在紧凑型电路板和模块中应用。总之，FDC5661N是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别是在电源开关、电机驱动器和LED照明电路等领域。