标签: CMD5950

CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封装类型：TO252应用简介：CMD5950是一款P沟道MOSFET，具有负的额定电压和额定电流，适合在各种电源管理和功率放大器应用中使用。它的导通电阻较低且具有较高的性能特性，能够提供可靠而高效的电流开关功能。该器件通过控制20Vgs(±V)的门源电压，实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关的状态转换。它的导通电阻较低能够降低功率损耗，提高系统效率。CMD5950采用TO252封装，封装适中，适合在各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流，它适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，CMD5950能够提供可靠的功率开关控制，实现高效能的电流传输和开关操作。总之，CMD5950是一款负极性的P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别是在电源开关、电机驱动器等领域以及需要控制和开关负电压的电路场景中。