标签: FDG6321C

FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：±0.6~2Vth(V)-封装类型：SC70-6应用简介：FDG6321C是一款N+P沟道MOSFET，同时包含了N沟道和P沟道的特性，在各种电源管理和功率放大器应用中具有广泛的应用范围。该器件具有较高的额定电压和额定电流，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。FDG6321C采用SC70-6封装，封装小巧，适合在空间有限的应用场合中使用。该器件广泛用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器以及需要同时使用N沟道和P沟道MOSFET的场合。在这些领域中，FDG6321C能够提供可靠的功率开关控制和多通道电流传输，实现高效能的电流开关操作。总之，FDG6321C是一款N+P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于需要同时控制正负电压的场合，例如电源开关、电机驱动器等领域。