标签: SUD50P0408GE3

型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1.6Vth-封装：TO252应用简介：SUD50P04-08-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于高功率开关和负极电压控制的应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-65A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多种应用领域的模块设计，包括但不限于：1.电源管理模块：适用于高功率DC-DC转换器、逆变器以及汽车电子中的负极电源控制。2.转换器模块：适用于高电压转换器和高电流负载开关的输出调节。3.电动工具：可用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之，SUD50P04-08-GE3适用于要求高功率开关和负极电压控制的领域模块设计，包括电源管理、转换器模块以及电动工具等领域。