标签: SI2318DST1GE3

型号：SI2318DS-T1-GE3 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.5A -RDS(ON)：30mΩ@10V，33mΩ@4.5V -门源电压范围：±20V -门源阈值电压范围：1.2V~2.2V -封装类型：SOT23应用简介：SI2318DS-T1-GE3（丝印：VB1330）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：SI2318DS-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET，适用于高电压和高电流的应用。其主要参数包括额定电压为30V，额定电流为6.5A，RDS(ON)为30mΩ@10V，33mΩ@4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为1.2V~2.2V，封装类型为SOT23。应用领域：SI2318DS-T1-GE3（VB1330）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：SI2318DS-T1-GE3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电动工具和家用电器：它可应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。3.电池管理系统：SI2318DS-T1-GE3可用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。4.工控系统和通信设备：SI2318DS-T1-GE3适用于工控系统和通信设备中的开关电路，提供稳定的电源管理和电流控制。综上所述，SI2318DS-T1-GE3（VB1330）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统、工控系统和通信设备等领域模块。它具有低电阻和高电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。