标签: AP4563GH

型号：AP4563GH丝印：VBE5415品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±40V-最大电流：50A/-50A-导通电阻：15mΩ@10V,18.75mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：±1Vth-封装：TO252-5应用简介：AP4563GH是一款N+P沟道MOSFET，适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±40V，最大电流为50A/-50A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。2.电机驱动模块：可用于驱动大功率电机，如电动汽车和工业机械中的驱动电路。3.逆变器模块：适用于太阳能逆变器和UPS系统等高功率逆变器。总之，AP4563GH适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和逆变器模块等。