标签: SI4953DYT1E3

型号：SI4953DY-T1-E3丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-频道类型：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源阈值电压：-1.5V-封装类型：SOP8应用简介：SI4953DY-T1-E3（丝印：VBA4338）是VBsemi公司生产的一款双P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：SI4953DY-T1-E3是一款具有高压、大电流承载能力的双P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-7A，RDS(ON)为35mΩ@10V,48mΩ@4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为-1.5V，封装类型为SOP8。应用领域：SI4953DY-T1-E3（VBA4338）适用于多种领域和应用场景，特别适用于需要双P沟道功率MOSFET的高压、大电流电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：SI4953DY-T1-E3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.汽车电子系统：它适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电流和高功率的要求。3.工控系统和通信设备：SI4953DY-T1-E3适用于工控系统和通信设备中的电源管理和电流控制，提供稳定的功耗控制和电流输出。综上所述，SI4953DY-T1-E3（VBA4338）是一款双P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工控系统和通信设备等领域模块。它具有高压、大电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。