标签: FDC6306P

FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2Vth(V)-封装类型：SOT23-6应用简介:FDC6306P是一款双P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。FDC6306P采用SOT23-6封装，适合在各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性，FDC6306P特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之，FDC6306P是一款双P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。