标签: NTS2101PT1G

NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2Vth(V)-封装类型：SC70-3应用简介：NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。NTS2101PT1G采用SC70-3封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性，NTS2101PT1G特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之，NTS2101PT1G是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。