标签: FDC3512

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：2~4Vth-封装：SOT23-6应用简介：FDC3512是一款N沟道MOSFET，适用于低压和中等电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为3.2A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于低压电源管理和负载开关控制。2.电流控制模块：可用于电流调节和负载开关控制。3.消费电子产品：适用于电池供电设备和便携式电子产品等。总之，FDC3512适用于低压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电流控制和消费电子产品等。