标签: NTR0202PLT1GVB

型号：NTR0202PLT1G丝印：VB2290品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-门阈电压：-0.81Vth-封装：SOT23应用简介：NTR0202PLT1G是一款P沟道MOSFET，适用于低压和中等电流的应用。其最大耐压为-20V，最大电流为-4A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于低压电源管理和负载开关控制。2.转换器模块：可用于低压转换器和逆变器的输出调节。3.消费电子产品：适用于低压电池供电设备和便携式电子产品等。总之，NTR0202PLT1G适用于低压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、转换器模块和消费电子产品等。