标签: FDN357NNLVB

型号:FDN357N-NL丝印:VB1330品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):30V -额定电流(ID):6.5A -开通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,33mΩ@4.5V -阈值电压范围(Vth):1.2~2.2V -封装类型:SOT23应用简介:这款FDN357N-NLMOSFET是一款N沟道类型的MOSFET，适用于低电压和中等电流的应用场景。它具有低开通电阻和较高的额定电流能力，适用于需要高效电流开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：用于开关电源、DC-DC变换器、逆变器等功率转换模块。-电机控制模块：用于直流电机驱动、步进电机驱动等。-照明模块：用于LED驱动、照明开关和控制电路等。-汽车电子模块：用于汽车照明、电池管理、电动车控制等。-通信设备模块：用于移动通信设备、网络设备中的功率管理和开关电源。总之，FDN357N-NLMOSFET适用于需要N沟道MOSFET进行功率开关和电源管理的各种应用场景，提供高效的电流控制和功率转换功能。