标签: RSD050N10TLVB

型号：RSD050N10TL丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：18A-导通电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：1.6Vth-封装：TO252应用简介：RSD050N10TL是一款N沟道MOSFET，适用于高压和大电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为18A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于高压电源开关和DC-DC变换器等。2.电机驱动模块：可用于驱动大功率电机和汽车驱动系统。3.高压负载开关模块：适用于高压负载开关和电源控制器。总之，RSD050N10TL适用于高压和大电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和高压负载开关模块等。