标签: SUD50P0615LGE3VB

型号:SUD50P06-15L-GE3丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-60V -额定电流(ID):-50A -开通电阻(RDS(ON)):20mΩ@10V,25mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):-1.76V -封装类型:TO252应用简介:这款SUD50P06-15L-GE3MOSFET是一款P沟道类型的高功率MOSFET，适用于负极性电源应用场景。它具有高额定电压和额定电流能力，适用于需要高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：用于负极电源开关、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。-电机控制模块：用于负极直流电机驱动、步进电机驱动等高功率电机控制。-汽车电子模块：用于汽车电池管理、照明控制、负极电源开关等高功率汽车电子模块。-通信设备模块：用于高功率广播设备、通信设备中的功率放大和开关模块。总之，SUD50P06-15L-GE3MOSFET适用于需要P沟道MOSFET进行高功率开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能，特别适用于负极电源应用。