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LBSS139LT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.6Vth(V)-封装类型：SOT23应用简介：LBSS139LT1G是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和低功率应用。它具有较低的额定电流和较高的额定电压特性。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较高的导通电阻意味着在较低的电流下进行操作。LBSS139LT1G采用SOT23封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件主要应用于低功率领域，例如电源管理、信号处理以及一些低功耗的控制电路中。总之，LBSS139LT1G是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和低功率应用。适用于低功率领域的电路，如电源管理、信号处理和低功耗控制电路等领域。