标签: MDD3754RHVB

型号：MDD3754RH丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1.6Vth-封装：TO252应用简介：MDD3754RH是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-65A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。2.电动工具：可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。3.高功率负载开关模块：适用于高功率负载开关和电源控制。总之，MDD3754RH适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和高功率负载开关模块等。