标签: FDN339ANNLVB

型号:FDN339AN-NL丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):20V -额定电流(ID):6A -开通电阻(RDS(ON)):24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V -阈值电压(Vth):0.45~1V -封装类型:SOT23应用简介:这款FDN339AN-NLMOSFET是一款低压N沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：用于低压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。-电池管理模块：用于低压电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。-小功率开关模块：用于低压开关电路、低功率开关控制等低功率应用。-嵌入式系统模块：用于嵌入式系统中的功率开关和电源管理模块。总之，FDN339AN-NLMOSFET适用于低压低功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低压低功率应用的模块。