标签: SI9945BDYT1E3VB

型号:SI9945BDY-T1-E3丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):6A -开通电阻(RDS(ON)):27mΩ@10V,32mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):1.5V -封装类型:SOP8应用简介:这款SI9945BDY-T1-E3MOSFET是一款双通道N沟道MOSFET，适用于需要双通道功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电压和额定电流能力，适用于中高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：用于高功率开关电源、DC-DC变换器、逆变器等功率转换模块。-电机控制模块：用于双通道直流电机驱动、步进电机驱动等中高功率电机控制。-汽车电子模块：用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等中高功率汽车电子模块。-通信设备模块：用于双通道功率放大、开关模块等中高功率通信设备模块。总之，SI9945BDY-T1-E3MOSFET适用于需要双N沟道MOSFET进行中高功率双通道开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能。