标签: DFN85X6

型号：SIR802DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1302品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：160A-导通电阻（RDS(ON)）：1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs-阈值电压（Vth）：2V-封装：DFN8(5X6)应用简介：SIR802DP-T1-GE3-VB是一款高性能N沟道MOSFET，适用于需要高电流和低导通电阻的电子设备和电路中。它在一些特定领域的模块中具有广泛的应用。**应用领域和模块说明：**1.**电源模块**：  -由于其极低的导通电阻和高电流承受能力，SIR802DP-T1-GE3-VB适用于高功率电源模块。  -可用于开关电源、DC-DC变换器、高性能服务器电源、电动汽车充电桩等领域，提供高效的电能转换。2.**电机驱动模块**：  -该MOSFET的高电流和低导通电阻使其成为电机驱动模块的理想选择。  -在电动工具、电动汽车电机驱动、电机控制等领域中用于提高电机的性能和效率。3.**电池管理模块**：  -SIR802DP-T1-GE3-VB可用于高功率电池管理模块中的电池充电和放电控制。  -用于电动汽车、太阳能逆变器、工业UPS等领域，实现高功率电池的安全和高效管理。4.**高功率开关模块**：  -在需要高功率开关控制的应用中，如高功率电机控制、电池电压调节等领域，该MOSFET非常有用。  -帮助实现高功率电路的可靠和精确控制。5.**工业自动化模块**：  -由于其高性能和可靠性，SIR802DP-T1-GE3-VB可用于工业自动化模块，如PLC（可编程逻辑控制器）和传感器控制。  -帮助实现工厂自动化和机器人控制。总结，SIR802DP-T1-GE3-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于高功率电源、电机驱动、电池管理、高功率开关和工业自动化等多个领域的模块。其低导通电阻、高电流承受能力和高性能特性使其成为各种高功率电子设备和系统的关键组成部分，有助于提高效率和性能。

型号：SI7478DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1606品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：90A-静态开启电阻（RDS(ON)）：6mΩ@10V-门源极电压（Vgs）：20V（±V）-阈值电压（Vth）：3.6V-封装类型：DFN8（5X6）应用简介：SI7478DP-T1-GE3-VB是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和高电流承受能力，以及低导通电阻。这使得它在多种高功率和高电压应用中非常有用。以下是一些可能的应用领域模块：1.**电源模块**：该N沟道MOSFET适用于高功率电源模块，如开关电源、DC-DC变换器和逆变器。它可以在这些应用中用作开关器件，以有效地调整和控制电压和电流。2.**电机控制模块**：SI7478DP-T1-GE3-VB可以用于电机控制模块，包括直流电机驱动、步进电机驱动和无刷直流电机驱动。其低导通电阻有助于提高电机效率。3.**电池管理系统**：在电池管理系统中，它可以用于电池保护、充电和放电控制，以确保电池的安全和高效运行。4.**高频开关模块**：对于需要高频开关的应用，例如射频（RF）模块或高频电源，该MOSFET可提供低开启电阻，有助于减小功率损耗。5.**LED驱动模块**：在LED照明系统中，SI7478DP-T1-GE3-VB可用于驱动LED，以实现亮度控制和颜色调节。由于其高电压和电流特性以及低导通电阻，SI7478DP-T1-GE3-VB在需要处理大功率的应用中非常有用。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。

型号:FDMS9600S丝印:VBQA3303G品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):30V -额定电流(ID):60A -开通电阻(RDS(ON)):4.3mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):1.2V -封装类型:DFN8(5X6)应用简介:这款FDMS9600SMOSFET是一款高功率N沟道MOSFET，适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电压和额定电流能力，适用于大功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：用于高功率开关电源、DC-DC变换器、逆变器等大功率电源模块。-电机控制模块：用于高功率直流电机驱动、步进电机驱动等大功率电机控制。-电动车控制模块：用于电动车电池管理、驱动系统中的功率开关和控制。-工业自动化模块：用于大功率工业控制系统的功率开关和电源模块。-通信基站模块：用于通信基站中的功率放大和开关模块。总之，FDMS9600SMOSFET适用于需要高功率N沟道MOSFET进行大功率开关和功率转换的各种应用场景，提供高可靠性的电流控制和功率转换功能，特别适用于大功率应用的模块。

SIR422DP-T1-GE详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-额定电流：75A-导通电阻：4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.9Vth(V)-封装类型：DFN8(5X6)应用简介：SIR422DP-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有较高的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。SIR422DP-T1-GE3采用DFN8(5X6)封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其较高的额定电压和额定电流特性，SIR422DP-T1-GE3特别适用于需要高功率和高电流传输的应用领域。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和电流传输。总之，SIR422DP-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块。特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关、电机驱动器等。