标签: SQD50P0615LGE3VB

型号：SQD50P06-15L-GE3丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1.76Vth-封装：TO252应用简介：SQD50P06-15L-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-50A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于高功率DC-DC转换器、逆变器和电池管理系统等。2.高效功率开关模块：可用于高功率负载开关和电源控制器。3.电动工具：适用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之，SQD50P06-15L-GE3适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效功率开关模块和电动工具等。