标签: MMBF170LT1GVB

型号:MMBF170LT1G丝印:VB162K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):0.3A -开通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):1.6V -封装类型:SOT23应用简介:这款MMBF170LT1GMOSFET是一款低功率N沟道MOSFET，适用于低功率应用场景。它具有较低的工作电流和较高的额定电压，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电池管理模块：用于低功率电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。-小功率开关模块：用于低功率开关电路、低功率开关控制等低功率应用。-照明模块：用于低功率LED驱动、照明开关和控制电路等。-消费电子模块：用于低功率消费电子产品中的功率管理和开关模块。总之，MMBF170LT1GMOSFET适用于需要低功率N沟道MOSFET的各种应用场景，特别适用于低功率应用的模块。