标签: NTF6P02T3GVB

型号：NTF6P02T3G丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-6A-导通电阻：42mΩ@10V,49mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-0.83Vth-封装：SOT223应用简介：NTF6P02T3G是一款P沟道MOSFET，适用于需要负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2.汽车电子模块：可用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。3.工业自动化模块：适用于工业自动化领域中的负载开关和电源控制。总之，NTF6P02T3G适用于需要负极电压控制和负载开关的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、汽车电子模块和工业自动化模块等。