标签: IRLR3103TRPBFVB

型号：IRLR3103TRPBF丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：60A-RDS(ON)：10mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源阈值电压：1.6V-封装类型：TO252应用简介：IRLR3103TRPBF（丝印：VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：IRLR3103TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为60A，RDS(ON)为10mΩ@10V，11mΩ@4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.6V，封装类型为TO252。应用领域：IRLR3103TRPBF（VBE1307）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要高电流承载能力和低导通电阻的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：IRLR3103TRPBF可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电机驱动：它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3.汽车电子系统：IRLR3103TRPBF适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电流和高功率的要求。综上所述，IRLR3103TRPBF（VBE1307）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于需要高功率和高效能的电路。