标签: SI2369DST1GE3VB

型号：SI2369DS-T1-GE3丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1Vth-封装：SOT23应用简介：SI2369DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-5.6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2.电动工具：可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。3.家用电器模块：适用于家用电器领域中的负极电源控制和负载开关。总之，SI2369DS-T1-GE3适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和家用电器模块等。