标签: FDT86113LZVB

型号：FDT86113LZ丝印：VBJ1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：5A-导通电阻：100mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：2~4Vth-封装：SOT223应用简介：FDT86113LZ是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为5A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2.照明模块：可用于LED驱动和照明控制。3.工业自动化模块：适用于工业自动化领域中的负载开关和电源控制。总之，FDT86113LZ适用于中等电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和工业自动化模块等。