tag 标签: AP2309GNVB

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    时间: 2024-2-20 17:21
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    上传者: VBsemi
    AP2309GN详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.6A-导通电阻:47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1Vth(V)-封装类型:SOT23应用简介:AP2309GN是一款P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额定电流特性,能够实现可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs(±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,从而实现电流的控制和开关状态的转换。所具有的较低导通电阻有助于降低功耗,提高系统效率。AP2309GN采用SOT23封装,适用于各种电路板和模块。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性,AP2309GN特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中,它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之,AP2309GN是一款P沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器等应用模块中。特别适用于需要控制和开关负电压的领域,比如电源开关、电机驱动器等。