标签: IRFL210TRPBFVB

型号:IRFL210TRPBF丝印:VBJ1201K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):200V -额定电流(ID):1A -开通电阻(RDS(ON)):1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):2~4V -封装类型:SOT223应用简介:这款IRFL210TRPBFMOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和适中的额定电流能力，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。-工业自动化模块：适用于高压工业自动化控制系统中的功率开关和控制模块。-汽车电子模块：适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等低功率汽车电子模块。-通信设备模块：适用于高压高功率通信设备中的功率放大和开关模块。总之，IRFL210TRPBFMOSFET适用于需要高电压N沟道MOSFET进行低功率开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低功率应用的模块。