标签: ME35N06GVB

型号：ME35N06G丝印：VBE1638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：1.8Vth-封装：TO252应用简介：ME35N06G是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和大电流的应用。其最大耐压为60V，最大电流为45A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于高压电源开关和DC-DC变换器等。2.电机驱动模块：可用于驱动大功率电机和机器人控制系统。3.高功率逆变器模块：适用于太阳能逆变器、UPS电源等高功率逆变器。总之，ME35N06G适用于高电压和大电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和高功率逆变器模块等。